ICU研究者情報データベース - 岡野　健

（最終更新日：2016-10-07 18:15:01）

  オカノ，ケン   OKANO, Ken
  岡野　健
   所属   国際基督教大学教養学部アーツ・サイエンス学科

職種教授

■ 学歴

1991/03/31
(学位取得)

東海大学工学博士

■ 職歴

1.	2010/04～2013/03	国際基督教大学理学専攻主任
2.	2009/04～2010/03	国際基督教大学大学院理学研究科長
3.	2008/04～2014/03	国際基督教大学理学館長
4.	2005/07～2005/08	シンガポール国立大学材料工学科客員教授（兼任)
5.	2005/04～2008/03	国際基督教大学理学科物理学教室 (現物質科学デパートメント)教授
6.	2005/04～	北陸先端科学技術大学院大学客員教授（兼任)
7.	2003/07～2004/06	英国ケンブリッジ大学工学部客員研究員（兼任)
8.	2000/04～2005/03	国際基督教大学理学科物理学教室準教授
9.	1998/04～2000/03	国際基督教大学理学科物理学教室助教授
10.	1997/04～1998/03	高知工科大学電子・光システム工学科助教授
11.	1995/07～1995/08	英国ケンブリッジ大学工学部客員研究員（兼任)
12.	1992/04～1997/03	東海大学工学部電子工学科専任講師
13.	1991/12～1992/11	米国マサチューセッツ工科大学化学工学科客員研究員、同リンカーン研究所客員教授（兼任）
14.	1991/04～1992/03	東海大学工学部電子工学科助手
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■ 現在の専門分野

電子・電気材料工学

■ 著書・論文歴

1.	著書	Diamond : electronic properties and applications （共著） 1995/01
2.	論文	"Electron emission from conduction band of heavily phosphorus doped diamond negative electron affinity surface" J. Phys. D: Appl. Phys. 45,pp.045102 （共著） 2016
3.	論文	"Photoelectric properties of a-Se p-n junction fabricated by electrolysis using NaCl aq." phys. stat. solid. （共著） 2015
4.	論文	"Field emission characteristics from graphene on hexagonal boron nitride" Appl. Phys. Lett. L14,pp.-03987R （共著） 2014
5.	論文	"Low-temperature synthesis of diamond films by photoemission-assisted plasma-enhanced chemical vapor deposition" J. Vac. Sci. Tech. A32,pp.02B110 （共著） 2014
6.	論文	"Conditions of high-sensitive photodetection in amorphous selenium based photodetector driven by diamond cold cathode" Appl. Phys. Lett. 102,pp.073506 （共著） 2013
7.	論文	"Development of an Amorphous Selenium-Based Photo-detector Driven by a Diamond Cold Cathode" Sensors 3,pp.13744 （共著） 2013
8.	論文	"Durability and photo-electric characteristics of a mille-feuille structured amorphous selenium (a-Se)–arsenic selenide (As2Se3) multi-layered thin film" J. Non-Cryst. Solids 378,96頁（共著） 2013
9.	論文	"High quantum efficiency UV detection using a-Se based photodetector" phys. stat. sol. Rapid Research Letters 7,pp.473 （共著） 2013
10.	論文	“Field emission mechanism of H-terminated n-type diamond NEA surface” MRS Symposium Proceeding 1395,pp.51 （共著） 2012
11.	論文	"A transparent ultraviolet triggered amorphous selenium p-n junction" Appl. Phys. Lett. 98,pp.152102 （共著） 2011
12.	論文	"Understanding tube-like electron emission from nanographite clustered films" J. Appl. Phys. 110,pp.34903 （共著） 2011
13.	論文	"Correlation between Low Threshold Emission and C-N Bond in Nitrogen-doped Diamond" J. Vac. Sci. Tech. B 29,pp.02B119 （共著） 2010
14.	論文	"Electron Emission from N-doped Diamond doped with Dimethylurea" J. Vac. Sci. Tech B 28,pp.pp. 506-510 （共著） 2010
15.	論文	Electron emission from conduction band of diamond with negative electron affinity" （共著） 2009
16.	論文	"Barrier height difference induced by surface terminations for filed emission from P-doped diamond" Proceedings of MRS '07 Fall Meeting 1039,P15-12頁（共著） 2008
17.	論文	Barrier height difference induced by surface terminations for filed emission from P-doped diamond Proceedings of MRS '07 Fall Meeting 1039,pp.P15-12 （共著） 2008
18.	論文	Clarification of band structure at metal- diamond contact using device simulatio Appl. Surf. Sci. 254,pp.pp.6285?6288 （共著） 2008
19.	論文	"Combined x-ray photoelectron spectroscopy /ultraviolet photoelectron spectroscopy/ field emission spectroscopy for characterization of electron-emission mechanism of diamond" J. Vac. Sci. Tech. 26,pp.pp.730-734 （共著） 2008
20.	論文	Electron emission from natural type IIb diamond characterised by combined XPS/UPS/FES system Diamond & Related Materials 17,pp.pp.162-165 （共著） 2008
21.	論文	Electron emission mechanism of heavily P-doped homoepitaxially-grown diamond Jpn. J. Appl. Phys. 47,pp.pp.8921-8924 （共著） 2008
22.	論文	"The origin of field-induced electron emission from N-doped CVD diamond characterised by combined XPS/UPS/FES system" Proceedings of MRS '07 Fall Meeting 1039,P15-11頁（共著） 2008
23.	論文	Characterisations of a-Se based photodetectors using X-ray photoelectron spectroscopy and Raman spectroscopy J. Non-crystal. Solid 353,pp.pp.308-312 2007
24.	論文	"Electron emission mechanism of diamond characterised using combined XPS/UPS/FES system" （共著） 2007
25.	論文	"Electron emission mechanism of diamond characterised using combined XPS/UPS/FES system" Proceedings of MRS '06 Fall Meeting 956 J11-06,pp.956 （共著） 2007
26.	論文	Electron emission mechanism of diamond characterised using combined XPS/UPS/FES system Proceedings of MRS '06 Fall Meeting 956 pp.J11-06 （共著） 2007
27.	論文	Field emission from surface-modified heavily phosphorus-doped homoepitaxial (111) diamond phys. stat. sol. (a)(204),pp.pp.2957?2964 （共著） 2007
28.	論文	Sensitivity to red/green/blue illumination of a-Se based photodetector driven by N-doped CVD diamond Diamond & Related Materials (17),pp.pp.95-99 （共著） 2007
29.	論文	"Electron emission mechanism of diamond characterised using combined XPS/UPS/FES" Proceedings of MRS '05 Fall Meeting 891,EE07-07頁（共著） 2006
30.	論文	Electron emission mechanism of diamond characterised using combined XPS/UPS/FES Proceedings of MRS '05 Fall Meeting 891 (EE07-07) （共著） 2006
31.	論文	Electron emission mechanism of diamond characterised using combined XPS/UPS/FES system Appl. Phys. Lett 88,pp.202101 （共著） 2006
32.	論文	Fabrication of an a-Se based photodetector driven by nitrogen-doped CVD diamond J. Vac. Sci. & Tech 24,pp.pp.1035-1039 （共著） 2006
33.	論文	Field emission from H- and O-terminated heavily P-doped homoepitaxial diamond J. Vac. Sci. & Tech 24,pp.pp.967-970 （共著） 2006
34.	論文	Field emission from reconstructed heavily phosphorus-doped homoepitaxial diamond (111) Appl. Phys. Lett. 88,pp.212114 （共著） 2006
35.	論文	Anneal-induced degradation of amorphous selenium characterized by photoconductivity measurements Jpn. J. appl. Phys. 44,pp.pp.L334-337 （共著） 2005
36.	論文	Appl. Phys. Lett Appl. Phys. Lett 87,pp.234107 （共著） 2005
37.	論文	Field emission properties of boron- and phosphorus-doped diamond Diamond and Frontier Carbon Tech 15,pp.pp. 337-347 （共著） 2005
38.	論文	Optically triggered schottky barrier diode in single crystal diamond Diamond Related Materials 14,pp.pp.499-503 （共著） 2005
39.	論文	Diode- and triode-structure amorphous selenium photodetectors driven by diamond cold cathode Tech. Report of IEICE ED2004(202),pp.pp. 49-54 （共著） 2004
40.	論文	Electron emission from heavily nitrogen-doped heteroepitaxial chemical vapor deposition diamond J. Vac. Sci. and Tech. B 22,pp.pp.1327-1330 2004
41.	論文	Growth of N-doped heteroepitaxial diamond thin films on iridium for cold cathode physica status solidi pp.pp.33-38 （共著） 2003/08
42.	論文	Amorphous selenium photo-detector with nitrogen (N)-doped diamond cold cathode J. Vac. Sci. Tech. pp.pp.1586-1588 （共著） 2003/01
43.	論文	Broad area uniform electron emission from N-doped homo epitaxially-grown CVD diamond J. Vac. Sci. pp.pp.1730-1733 （共著） 2003/01
44.	論文	The possibilities of a field effect transistor using diamond for power device applicatio J. Vac. Sci. Tech. pp.pp.483-489 （共著） 2003/01
45.	論文	Growth of homoepitaxial diamond doped with nitrogen for electron emitter Diamond Related Materials pp.pp.257-261 （共著） 2002/11
46.	論文	Electron emission from N-doped homo-epitaxially grown diamond J. Appl. Phys pp.pp. 2194-2197 （共著） 2002/01
47.	論文	Photo detecting device using electron emission from diamond Electron Device Lett pp.pp.16-18 （共著） 2002/01
48.	論文	Seebeck measurements of N-doped diamond thin films Phys. stat. sol. pp.pp.457-461 （共著） 2002/01
49.	論文	Triode-structure amorphous selenium photodetector driven by diamond cold cathode Electron. Lett pp.pp.1711-1712 （共著） 2002/01
50.	論文	Effect of oxygen coverage on electron emission from boron-doped polycrystalline diamond Jpn. J. Appl. Phys pp.pp. 829-831 （共著） 2001/01
51.	論文	Effect of sp2/sp3 ratio on electron emission properties of nitrogen-doped diamond electron emitter Phys. stat. sol pp.pp.257-262 （共著） 2001/01
52.	論文	Metal-insulator -vacuum type emission from N-containing chemical vapor deposited diamond Appl. Phys. Lett. pp.pp. 275-277 （共著） 2001/01
53.	論文	Electron field emission from a patterned diamond-like carbon flat thin film using a Ti intergacial layer J. Vac. Sci. & Tech. pp.pp. 2420-2423 （共著） 2000/01
54.	論文	Potential profile between boron-doped diamond electron emitter and anode electrode Appl. Phys pp.pp.1297-1299 （共著） 2000/01
55.	論文	Uniform electron emission from nitrogen-doped diamond-based electron emitter fabricated by sintering technique IEEE Electron Device Lett pp.pp. 531-533 （共著） 2000/01
56.	論文	Angular resolved study of secondary electron emission from NEA diamond surface Diamond & Related Materials pp.pp. 1485-1489 （共著） 1999/01
57.	論文	Characterization of electron emission from N-doped diamond using simultaneous field emission and photoemission technique Appl. Sur. Sci. pp.pp.274-279 （共著） 1999/01
58.	論文	Formation of back contacts on diamond electron emtters Appl. Sur. Sci pp.pp. 245-250 （共著） 1999/01
59.	論文	Modeling of the electron field emission process in polycrystalline diamond and diamond-like carbon thin films J. Vac. Sci. & Tech pp.pp. 557-561 （共著） 1999/01
60.	論文	Diamond tip arrays for parallel lithography and data storage Jpn. J. Appl. Phys pp.pp. L562-564 （共著） 1998/01
61.	論文	Diamond tip arrays for parallel lithography and data storage Jpn. J. Appl. Phys. pp.37, pp. L562-564 （共著） 1998/01
62.	論文	Electron emission from diamond having negative electron affinity pp.J81-C-II, pp. 180-190 （共著） 1998/01
63.	論文	Electron Emission from Nitrogen-doped ChemicalVapour Deposited Diamo Ultramicroscopy pp.pp.43-49 （共著） 1998/01
64.	論文	Electron Emission from Nitrogen-doped Chemical Vapour Deposited Diamond Ultramicroscopy pp.73, pp. 43-49 （共著） 1998/01
65.	論文	Formation of hetero-epitaxially oriented (100) diamond thin films and their field emission properties Diamond Films & Tech pp.pp. 331-336 （共著） 1998/01
66.	論文	"Simultaneous field emission and photoemission characterization of N-doped CVD diamond" （共著） 1998
67.	論文	Electron emission from nitrogen-doped pyramidal-shape diamond and its battery operatio Appl. Phys. pp.pp. 2201-2203 （共著） 1997/01
68.	論文	Electron emission from pyramidal-shape diamond after hydrogen and oxygen surface treatment J. Vac. Sci. & Tech. pp.B15, pp. 1678-1681 （共著） 1997/01
69.	論文	"Electron field emission from carbon thin films" （共著） 1997
70.	論文	Low threshold cold cathode made of nitrogen-doped chemical vapour deposited diamond Nature pp.140 （共著） 1996/01
71.	論文	Mold growth of polycrystalline pyramidal-shape diamond for field emitters Diamond and Related Materials pp.,pp. 19-24 ( （共著） 1996/01
72.	論文	Electron emission from phosphorus- and boron-doped polycrystalline diamond films Electron. pp.31, 74 （共著） 1995/01
73.	論文	Electron field emission from diamond and other carbon materials after H2, O2 and Cs treatment Appl. Phys. Lett. pp.pp. 1328-1330 （共著） 1995/01
74.	論文	Estimation of the emission barrier height of p-type semiconducting diamond from its field emission property Jpn. J. Appl. Phys pp.pp.L1068-1070 （共著） 1995/01
75.	論文	Fabrication of a miniature-size pyramidal-shape diamond field emitter array IEEE Electron. （共著） 1995/01
76.	論文	Fabrication of a diamond field emittter array" Appl. Phys. Lett pp.pp. 2742-2743 （共著） 1994/01
77.	論文	Doping of diamond Diamond andRelated Materials pp.pp. 35-40 （共著） 1993/01
78.	論文	Formation of ohmic contacts on CVD-grown semiconducting diamond Diamond and Related Materials pp.pp. 30-34 （共著） 1993/01
79.	論文	Junction properties of polycrystalline diamond / hydrogenated amorphous silicon p-n heterojunctions Jpn. J. Appl. Phys pp.pp. 3739-3747 （共著） 1993/01
80.	論文	Electronic properties of diamond Diamond Films and Tech pp.pp. 99-154 （共著） 1992/01
81.	論文	Isothermal capacitance transient spectroscopy measurements on polycrystalline diamond / hydrogenated amorphous silicon heterojunctions Appl. Phys. pp.pp. 1808-1810 （共著） 1992/01
82.	論文	Isothermal capacitance transient spectroscopy study of defect states in polycrystalline diamond films Diamond and Related Materials pp.pp. 1179-1184 （共著） 1992/01
83.	論文	Nucleation and growth of diamond particles from the vapor phase Diamond and Related Materials pp.pp. 157-160 （共著） 1992/01
84.	論文	Polycrystalline diamond / hydrogenated amorphous silicon p-n heterojunction" Jpn. J. Appl. Phys pp.L388-391 （共著） 1992/01
85.	論文	Application of semiconducting diamond film to electronic devices SurfaceModi. Tech pp.pp. 235-244 （共著） 1991/01
86.	論文	Characterization of semi-conducting diamond film and its application to electronic devices Thin Solid Films pp.pp. 183-187 （共著） 1991/01
87.	論文	Fabrication of a diamond p-n junction diode using the chemical vapour deposition technique Solid-State Electronics pp.139 （共著） 1991/01
88.	論文	Fabrication of metal-insulator-semiconductor devices using polycrystalline diamond film Jpn. J. Appl. Phys pp.pp. L2015-2017 （共著） 1991/01
89.	論文	p-n Junction diode made of semiconducting diamond films Appl. Phys. Lett. pp.pp. 840-841 （共著） 1991/01
90.	論文	"Synthesis of n-Type Semiconductive Diamond Film and Fabrication of a p-n Junction Diode" （共著） 1991
91.	論文	An optical investigation of diamond thin films on silico Vacuum pp.pp.1387-138 （共著） 1990/01
92.	論文	Synthesis of B-doped diamond film J.Crystal Growth pp.pp. 1192-1195 （共著） 1990/01
93.	論文	Synthesis of n-type semiconducting diamond film using diphosphorus pentaoxide as the doping source Appl. Phys. pp.pp. 344-346 （共著） 1990/01
94.	論文	"Boron-doped diamond films on silicon studied by Raman and infrared spectroscopies " pp.pp. 25-35 （共著） 1990
95.	論文	Characterization of boron-doped diamond film Jpn. J. Appl. Phys pp.pp. 1066-1071 （共著） 1989/01
96.	論文	Synthesis of diamond thin films having semiconductive properties Jpn. J. Appl pp.pp. L173-175 （共著） 1988/01
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■ 学会発表

1.	2012/03/16	アモルファスセレンへの不純物添加:飛行時間二次イオン質量分析及び，ラマン分光法による結晶評価（第59回応用物理学会関係連合講演会）
2.	2012/03/16	ダイヤモンド冷陰極を用いた紫外光検出器の試作（第59回応用物理学会関係連合講演会）
3.	2008	XPS/UPS/FES 複合分光システムを用いた窒素添加ダイヤモンドからの電界電子放出機構解明の試み（第55回応用物理学関係連合講演会）
4.	2007/11/13	Clarification of band structure at metal-diamond contact using device simulation（Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces）
5.	2007/07/09	Combined XPS/UPS/FES for characterization of electron emission mechanism from diamond（International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC) 2007）
6.	2007	XPS/UPS/FES 複合分光システムによる不純物添加CVDダイヤモンドからの電界電子放出機構解明の試み（第54回応用物理学関係連合講演会）
7.	2006/11/29	Electron emission mechanism of doped CVD diamond characterized by combined XPS/UPS/FES system（MRS fall meeting; J11.6）
8.	2006	XPS/UPS/FES 複合分光システムを用いたダイヤモンドからの電界電子放出機構解明の試み（第53回応用物理学関係連合講演会）
9.	2005/11/29	Electron emission mechanism of diamond characterized by combined XPS/UPS/FES（MRS fall meeting; EE7.7）
10.	2005/07/12	Electron emission mechanism of diamond characterised by combined XPS/UPS/FES（"International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC) 2005,; 2.14"）
11.	2005	酸素終端高濃度リン添加ホモエピタキシャルダイヤモンドからの電子放出機構（第66回応用物理学会学術講演会）
12.	2004/09/13	Numerical and experimental analysis of single crystal diamond schottky barrier diodes（"15th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitride ＆ Silicon Carbide"）
13.	1991	"Characterization of Semiconducting Diamond Film and Its Application to Electronic Devices"（International Conference on Metallurgical Coatings and Thin Films）
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■ 講師・講演

1.	2016/09/23	アモルファスセレン光導電体のデバイス応用
2.	2014/04/11	窓ガラスで発電?! ～可視光透過型太陽電池パネルの開発へ向けて～
3.	2013/06/24	Amorphous selenium based photodetector driven by diamond cold cathode（Jeju, Korea）
4.	2013/01/02	Development of a high sensitive photodetector using amorphous selenium (a-Se) and diamond cold cathode（Singapore）
5.	2011/06/20	abrication of amorphous selenium (a-Se) pn junction using electrolysis（Taiwan）
6.	2008/03/24	Electron emission mechanism of diamond characterised by XPS/UPS/FES
7.	2007/08/15	Electron emission mechanism of diamond
8.	2006/07/18	Electron emission mechanism of diamond
9.	2005/09/16	Characterisation diamond electron emitter using combined XPS/UPS/FES system
10.	2004/12/14	Strongly Closed Subgraphs and Q-Polynomial Property
11.	2004/11/29	Fabrication of an ultra high sensitive imaging device driven by N-doped CVD diamond
12.	2004/09/28	Fabrication of an ultra high sensitive imaging device driven by N-doped CVD diamond
13.	2004/01/21	Fabrication of an ultra high sensitive imaging device driven by N-doped CVD diamond
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■ 所属学会

1.	2007～	New Diamond and Nano Carbons プログラム委員
2.	2007～	第54回応用物理学関係連合講演会現地実行委員
3.	1996～	日本学術振興会第158委員会委員
4.	1989～	IEEE
5.	1987～	日本応用物理学会

■ 教育上の実績

●教育方法の実践例
1.	2004/04～	教育内容・方法の工夫
2.	2004/04～	教育内容・方法の工夫
●その他教育活動上特記すべき事項
1.	2004/04～	その他教育活動上特記すべき事項

■ 職務上の実績

●その他職務上特記すべき事項
1.		負の電子親和力を持つダイヤモンド，特に窒素添加ダイヤモンド表面からの低しきい値で起こる電界電子放出の機構解明に取り組んでいる．放出電子のエネルギー分布など，電子放出機構解明には不可欠な情報を得るため，X線光電子分光(XPS)/紫外光光電子分光(UPS)/電界放出電子分光(FES)の複合分光が行える装置を日本電子㈱と共同で設計開発し，種々のダイヤモンド表面で起こる電界電子放出の解析結果を，現在複数の論文にまとめている．この装置を用いてこれまで得られなかった情報を得ることが可能になった．　また，この応用として，窒素添加ダイヤモンドを電子源に，光伝導性を持つアモルファスセレン(a-Se)を陽極として組み合わせ，フォトン一個の検出が可能な高感度，かつ可視光からX線までの広帯域の電磁波にも感度も持つ光検出器の作製を目指している．光伝導性を得るために最適なセレンの結晶状態，最適な劣化防止の組成を再考し、1950年代の半導体材料としてのセレンに関する数多くの報告に，現在の最新の成膜技術や結晶作製技術，および評価技術を照らして，我々の応用に最適なセレンの作製方法の確立を目指している．

■ 研究課題・受託研究・科研費

1. 負の電子親和力を持つダイヤモンド表面からの電界電子放出の研究，特に窒素添加ダイヤモンド表面からの低しきい値で起こる電界電子放出の機構解明2. 超高感度、広帯域光検出器の作製3. 少量Ｘ線照射直接変換型リアルタイム検査装置及び、X線分光局所的分析検査装置の開発

■ 科研費研究者番号

20233356